我国成功研制80纳米万能存储器核心器件 可提高移动设备待机时间
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证券时报网络。5月23日,
据《北京日报》报道,北京航空航天大学、空航空航天大学和中国科学院微电子研究所的联合研发团队在stt-mram关键技术研究方面取得了重大突破,率先在国内成功制备了直径80 nm的通用存储核心器件,器件性能良好,相关关键参数达到国际领先水平。这项技术有望应用于大型数据中心以降低功耗,也有望应用于各种移动设备以改善待机时间。
(证券时报新闻中心)
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